山東天岳晶体材料有限公司

社名:山東天岳晶体材料有限公司( SICC Materials Co.,Ltd )

設立:2011年12月12日

資本金:6880万人民元

住所:山東省済南市槐荫区天岳南路99号

面積:133,200㎡

従業員数:145人(2017年6月迄)

株式会社SICC JAPAN

社名:株式会社SICC JAPAN

設立:2018年6月8日

資本金:1000万円

住所:541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F


山東天岳晶体材料有限公司

山東天岳晶体材料有限公司は2011年に中国山東省に設立された民営企業で、4Hの導電型(N-タイプ)と半絶縁性(SEMIタイプ)SiC WAFERの開発・製造を専業とする企業です。高い技術力と「常に進化を求める」という理念をもとに、中国の民間企業では出色の国内影響力を持っています。2018年12月には中国済南市で行われた中国ワイドギャップパワー半導体産業連盟年間会議では理事長として再任され、中国はじめワールドワイドで第三世帯半導体材料及び先進パワー半導体産業の振興に力を貢献します。

SILICON 
名誉
2012 / 05
済南市半導体基板材料プロセス研究センター(且つ済南市工程研究センター)
2013 / 12
中国ワイドギャップパワー半導体産業連盟理事長
2013 / 03
山東省半導体基板材料プロセス研究センター(省級工程研究センター主管企業)
2014 / 01
山東省技術発明一等賞
2014 / 11
山東省自然科学学術発明省
山東省省級工程研究センター主管企業
博士研究員ワークステーション
2015 / 10
山東省コア技術特許トップ100に認定
2017 / 01
SILICON  CARBIDE
お問い合わせ
Tel:06-7878-6134 Email:ueyama@sicc.cc Fax:06-7878-6576
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