山東天岳先進材料科技有限会社

社名:山東天岳先進材料科技有限会社( SICC  Co.,Ltd )

設立:2011年12月12日

資本金:6880万人民元

住所:山東省済南市槐荫区天岳南路99号

面積:133,200㎡

従業員数:145人(2017年6月迄)

株式会社SICC JAPAN

社名:株式会社SICC JAPAN

設立:2018年6月8日

資本金:1000万円

住所:541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F


山東天岳先進材料科技有限会社

SICCは中国山東省済南市に拠点を置く、単結晶炭化ケイ素(Silicon Carbide / SiC)メーカーでございます。N型・半絶縁型の結晶成長技術と基板加工技術の一貫生産体制を構築し、パワーデバイス、高周波デバイス等の半導体産業へ、エピレディ基板を供給しております。製品はご用途に合わせて規格やグレードを用意しており、この度Heat Sink(放熱板)規格を製品ラインに追加しました。 

2018年には、日本市場への長期的なコミットメントの一環として、日本法人SICC JAPANを設立致し販売活動とSICCの日本市場窓口としての機能を担います。些細な事でも構いませんので何なりとお問い合わせくださいませ。

SICCが日本の皆様に愛される存在であることができるよう活動して参ります。

今後ともご指導ご鞭撻の程、どうぞ宜しくお願い申し上げます。


History 
沿革
2012 / 05
済南市半導体基板材料プロセス研究センター(済南市工程研究センター)
2013 / 12
中国ワイドギャップパワー半導体産業連盟理事長  着任
2013 / 03
山東省半導体基板材料プロセス研究センター(省級工程研究センター主管企業)
2014 / 01
山東省技術発明最優秀賞 受賞
2014 / 11
山東省自然科学学術発明賞 受賞
山東省省級工程研究センター主管企業
博士研究員ワークステーション 認定
2015 / 10
山東省コア技術特許トップ100 認定
2017 / 01
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