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4H Semi-Insulated Silicon Carbide WAFER
製品は主にGaN-HEMTのEpi-Substrateとして広く使用されております。弊社では4インチを主軸に2〜6インチまでのライナップを揃えております。 仕様表
    シリコンカーバイドの高い熱伝導率が放熱技術領域において素材としての期待が高まっています。導電(N型)と高抵抗(半絶縁)との絶縁特性を用途によって使い分けられることが可能であり、これも幅広いアプリケーションで活用されることが期待されています。
    発光ダイオード(LED)は半導体材料の電子と空穴の複合を利用して発行させるデバイスとして
    省エネ照明器具として知られています。その発光素子であるGaNは異種基板上での成膜技術が一般的です。多く用いられるサファイア基板などに比べ、シリコンカーバイドはより優れた物理特性を持つため、LEDの小型化、高熱伝導率、エネルギー損失低減等に大きな役割を果たすことできます。
    半絶縁性のシリコンカーバイドはワイドギャップ半導体材料であり、且つ高周波動作(0~400GHz)に対応することが出来る材料です。光源やパワーデバイス領域と同様にその優れた物理特性が高周波デバイスにおいても有用であり、5G通信技術等の発展に大きな役割が期待されています。特にXバンド以上のT/Rデバイスの5G通信基地局における採用は注目を集めています。
    商品特徴
    イメージ図の説明:半絶縁基板の形状やレーザーマークの付け方はNタイプと同じであることをご了承ください
商品イメージ
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