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4H N-Type Silicon Carbide WAFER
2インチから6インチまで対応します。 中国では第三世帯半導体産業を導く材料と認識され,高熱伝導率、ワイドバンドギャップ、化学的安定性、高強度、低損失及び高破壊電界などの特性で、より多くのパワーデバイスに応用されると期待されています。
    発光ダイオード(LED)は半導体材料の電子と空穴の複合を利用して発行させるデバイスとして省エネ照明器具として知られています。その発光素子であるGaNは異種基板上での成膜技術が一般的です。多く用いられるサファイア基板などに比べ、シリコンカーバイドはより優れた物理特性を持つため、LEDの小型化、高熱伝導率、エネルギー損失低減等に大きな役割を果たすことできます。
    N型シリコンカーバイドはSBD、MOSFET、IGBT、BJT、JFETなど数多くのパワーデバイスに採用されております。その高熱伝導率、バンドギャップ、化学的安定性、高強度、低損失、高破壊電界などの特性は、今後より多くのパワーデバイスに応用されるものと期待されています。
    シリコンカーバイドの高い熱伝導率が放熱技術領域において素材としての期待が高まっています。導電(N型)と高抵抗(半絶縁)との絶縁特性を用途によって使い分けられることが可能であり、これも幅広いアプリケーションで活用されることが期待されています。
    商品特徴
    2インチから6インチまで対応します、6インチに関しましてはお問い合わせください。
商品イメージ
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