SILICON  CARBIDE
導電型
SILICON  CARBIDE
半絶縁タイプ
SILICON  CARBIDE
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    我々は強力な研究開発能力を持つ国際的なトップ技術チームを持っています。 R&D人員は全従業員数の60%を占め、研究開発費は売上高の10%以上を占めています。
    SICCでは、大口径のウェハーを追及する上で、常にMPD解消、欠陥制御、表面粗さの向上などを課題に、 結晶品質と加工品質二つの緯度で商品品質の向上に取り込んでいます。 *X-RayトポグラフィーやKOH法の検査結果についてはお問合せお願いします
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